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    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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  • 三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台
    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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  • CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

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  • 6AG1321-1BL00-2AA0
    CMT-TIT8244A 高温 1700V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    CMT-TIT8244A 高温 1700V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    CMT-TIT8244是一款针对额定温度为125°C(Ta)的62mm碳化硅(SiC)MOSFET功率模块进行优化的栅极驱动器板。该板基于CISSOID HADES栅极驱动器芯片组,为汽车和工业应用中的高密度功率转换器的设计提供了热余量。它实现了高频(>100KHz)和快速的SiC MOSFET开关(dV/dt>50KV/µs),提高了功率转换器的效率,并减小了其尺寸和重量。 该板设计用于恶劣的电压环境,支持1700V电源模块的驱动,隔离电压高达3600V(50Hz,1min),爬电距离为14mm。欠压锁定(UVLO)、有源米勒箝位(AMC)和去饱和检测等保护功能可确保电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。
  • 6AG1321-1BL00-2AA0
    CHT-TIT3345E-CSOIC28-T 高温 高可靠性  双通道功率晶体管驱动器
    CHT-TIT3345E-CSOIC28-T 高温 高可靠性 双通道功率晶体管驱动器
    CHT-ATLAS 是一种高温、高可靠性功率晶体管驱动器集成电路,专门设计用于驱动宽带隙功率晶体管,特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件,包括常开和常关 JFET、MOSFET 和BJT。它还与标准硅 MOSFET 和 IGBT 一起用于标准温度应用(例如 125°C),与传统解决方案相比,它可将可靠性和使用寿命提高一个数量级。该电路具有 2 个独立的推挽通道,每个通道能够提供/吸收 2A 电流。当一起配置以驱动单个电源开关时,2 个不同通道的组合允许驱动特定设备,例如需要动态脉冲电流与连续电流相结合才能正确开启。该电路具有软关断功能,可在出现故障时缓慢关断功率晶体管。
  • 6AG1321-1BL00-2AA0
    CHT-HYPERION-CSOIC28-T 高温 高可靠性  40V 半桥栅极驱动器
    CHT-HYPERION-CSOIC28-T 高温 高可靠性 40V 半桥栅极驱动器
    HYPERION适用于驱动DC-DC转换器中的MOSFET,以及电机控制应用和功率逆变器中的半桥栅极驱动器设计。 典型的导通电阻为1欧姆,在200°C时,高侧和低侧都可以驱动高达1 nF的负载,传播延迟为40 ns,过渡时间为15 ns。内部自适应非重叠电路在MOSFET驱动应用中使用时,通过防止同时导通,进一步降低了开关损耗。高侧浮动驱动器是自举的,并且可以在自举节点上适应高达55V的电压。 欠压锁定功能保持高压侧开关断开,直到驱动器具有足够的电压进行正确操作。撬棍输入独立于输入信号状态开启低侧驱动器,并且低侧禁用引脚允许在非同步模式下操作。关闭引脚关闭高侧驱动器和低侧驱动器。
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    CHT-TIT0521B-CQFP32-T 高温 高可靠性  栅极驱动器二次侧 IC
    CHT-TIT0521B-CQFP32-T 高温 高可靠性 栅极驱动器二次侧 IC
    CHT-HADES2S 是一款高温、高可靠性单芯片全集成栅极驱动器,专门设计用于驱动宽带隙高压/大功率晶体管,特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件。由于其体积小且所需的外部组件数量少,它提供了市场上最紧凑的解决方案。它还具有业内同类产品中最高的输出电流。CHT-HADES2S 可在标准温度应用(例如 125°C)中与标准硅 MOSFET 和 IGBT 一起使用,与传统解决方案相比,它可将可靠性和使用寿命提高一个数量级。该电路具有推挽式晶体管,每个晶体管能够提供/吸收高达 12A 的电流。它还包括软关断、低压锁定、 CHT-HADES2S 可单独使用或与 CHT-HADES2P 结合使用,CHT-HADES2P 可生成控制信号以驱动高带宽晶体管。
  • 6AG1321-1BL00-2AA0
    CHT-TIT9687B-CQFP32-T 高温 高可靠性  栅极驱动器初级侧 IC
    CHT-TIT9687B-CQFP32-T 高温 高可靠性 栅极驱动器初级侧 IC
    CHT-HADES2P是一种高温、高可靠性的栅极驱动器解决方案的单片初级侧。它实现了电流模式控制的DC-DC反激式转换器,用于生成车载电源和从外部控制接口到2个二次侧的隔离数据传输,并执行本地故障管理。 该器件的设计方式是尽可能多地减少所需的外部无源器件的数量,并限制对高电容器值的要求(高温下的大占地面积)。 其特点是对输入电源进行UVLO监测,使用线性电压调节器生成本地5V电源电压,并向次级侧对数据信号进行开/关键控调制。 它为输入PWM信号提供了宽的电压范围(5至15V)和磁滞,以增强对系统噪声的免疫力;它还具有对PWM信号的尖峰滤波功能,以防止瞬间的虚假开启/关闭
  • 6AG1321-1BL00-2AA0
    EVK-TIT2785A-T 高温 高压 高可靠性  高压隔离式栅极驱动器
    EVK-TIT2785A-T 高温 高压 高可靠性 高压隔离式栅极驱动器
    EVK-HADES1210 评估套件实现了一个基于 HADES v2 隔离式栅极驱动器和两个 CISSOID 的 NEPTUNE(一个 10A/1200V SiC MOSFET)的功率半桥。 它包括一个可立即用于实施电源转换器或电机驱动的评估板,专为高达 1200V 的总线电压和高达 10A 的应用电流而设计。两个通道可以相互独立控制或使用本地生成的非重叠延迟。 该参考设计基于第二代 HADES 芯片组,该芯片组由 2 个设备组成:主设备 CHT-HADES2P 和辅助设备 CHT-HADES2S。 该解决方案包括一个围绕 CHT-HADES2P PWM 控制器构建的隔离电源。 评估板 EVK-HADES2® 可用于对 SiC MOSFET 器件进行即时测试。该板装有陶瓷封装的 CISSOID 集成电路,保证在 -55°C 至 +225°C 的温度范围内工作。该板基于聚酰亚胺 PCB(额定温度 200°C)。无源元件和去饱和二极管允许在高达 175°C 的温度下运行,并可能短时间偏移到 225°C 以进行测试。评估板随附完整的电气原理图、包括有源和无源元件的材料清单、Gerber 文件。
  • 6AG1321-1BL00-2AA0
    CMT-TIT9687B-PQFP44-T 高温 高可靠性 栅极驱动器原边 IC (175°C)
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    CMT-HADES2P是一款高温、高可靠性的单片主侧栅极驱动器解决方案。它实现了电流模式控制的DC-DC反激式转换器,用于生成车载电源和从外部控制接口到2个二次侧的隔离数据传输,并执行本地故障管理。 该器件的设计方式是尽可能多地减少所需的外部无源器件的数量,并限制对高电容器值的要求(高温下的大占地面积)。 其特点是对输入电源进行UVLO监测,使用线性电压调节器生成本地5V电源电压,并向次级侧对数据信号进行开/关键控调制。 它为输入PWM信号提供了宽的电压范围(5至15V)和磁滞,以增强对系统噪声的免疫力;它还具有对PWM信号的尖峰滤波功能,以防止瞬间的虚假开启/关闭。
  • 6AG1321-1BL00-2AA0
    CMT-TIT0521B-PQFP44-T 高温 高可靠性 栅极驱动器二次侧 IC (175°C)
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    CMT-HADES2S 是一款高温、高可靠性的单芯片全集成栅极驱动器,专门设计用于驱动宽带隙高压/大功率晶体管,特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件。由于其体积小且所需的外部组件数量少,它提供了市场上最紧凑的解决方案。它还具有业内同类产品中最高的输出电流。 CMT-HADES2S 可在标准温度应用(例如 125°C)中与标准硅 MOSFET 和 IGBT 一起使用,与传统解决方案相比,它可将可靠性和使用寿命提高一个数量级。该电路具有推挽式晶体管,每个晶体管能够提供/吸收高达 12A 的电流。它还包括软关断、欠压锁定、去饱和检测、有源米勒钳位、过热检测和主要功能的隔离接口。 CMT-HADES2S 可以单独使用,也可以与 CMT-HADES2P 结合使用,CMT-HADES2P 可以生成控制信号来驱动高带宽晶体管。
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    CMT-TIT8243A 高温 1200V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
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    CMT-TIT8243 是一款针对额定温度为 125°C (Ta) 的 62mm 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块优化的栅极驱​​动器板。该板基于 CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组,可为汽车和工业应用中的高密度功率转换器设计提供热裕量。它可实现高频 (>100KHz) 和快速 SiC MOSFET 的开关 (dV/dt>50KV/µs),从而提高效率并减小功率转换器的尺寸和重量。 该板专为恶劣电压环境而设计,支持驱动隔离电压高达 3600V(50Hz,1 分钟)且爬电距离为 14mm 的 1200V 电源模块。欠压闭锁(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)和去饱和检测等保护功能确保了电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。
  • 6AG1321-1BL00-2AA0
    CMT-TIT0697A 高温 1200V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    CMT-TIT0697A 高温 1200V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    CMT-TIT0697 是一款针对额定温度为 125°C (Ta) 的 XM3 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块优化的栅极驱​​动器板。该板基于 CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组,可为汽车和工业应用中的高密度功率转换器设计提供热裕量。它可实现高频 (>100KHz) 和快速 SiC MOSFET 的开关 (dV/dt>50KV/µs),从而提高效率并减小功率转换器的尺寸和重量。 该板专为恶劣电压环境而设计,支持驱动隔离电压高达 3600V(50Hz,1 分钟)且爬电距离为 14mm 的 1200V 电源模块。欠压锁定(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)和去饱和检测等保护功能确保了电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。

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