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    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

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    CHT-EUROPA-A1220  1200V/20A 双碳化硅肖特基二极管模块
    CHT-EUROPA-A1220 1200V/20A 双碳化硅肖特基二极管模块
    CHT-EUROPA-A1220 是采用单个密封模块的高温双碳化硅 (SiC) 肖特基二极管。它适用于实现高效电源电压整流器,例如在 AC-DC 转换器中。本产品保证在 -55°C 至 +210°C (Tj) 的整个范围内正常运行。每个器件的击穿电压都超过 1200V,并且能够切换高达 20A 的电流。SiC 肖特基二极管在 20A 时的正向电压为 1.5V。在 175°C (Tc) 时,最大连续直流电流超过 20A。重复峰值 Fwd 浪涌电流为 35A。
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    CHT-EUROPA-A1230 是采用单个密封模块的高温双碳化硅 (SiC) 肖特基二极管。它适用于实现高效电源电压整流器,例如在 AC-DC 转换器中。本产品保证在 -55°C 至 +210°C (Tj) 的整个范围内正常运行。每个器件的击穿电压都超过 1200V,并且能够切换高达 30A 的电流。SiC 肖特基二极管在 30A 时的正向电压为 1.35V。在 175°C (Tc) 时,最大连续直流电流超过 30A。重复峰值 Fwd 浪涌电流为 50A。
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    IO-1210 是采用 TO-257 密封金属封装的高温碳化硅 (SiC) 肖特基二极管。它适用于实现高效电源电压整流器,例如在 AC-DC 转换器中。本产品保证在 -55°C 至 +210°C (Tj) 的整个范围内正常运行。该器件的击穿电压超过 1200V,能够切换高达 10A 的电流。SiC 肖特基二极管在 10A 时的正向电压为 1.2V。在 175°C (Tc) 时,最大连续直流电流为 10A。重复峰值 Fwd 浪涌电流为 12A。
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    CHT-PLUTO-C1220 1200V/20A 降压或升压 SIC MOSFET 模块
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    CHT-PLUTO-C1220是一款高温1200V/20A降压或升压模块,即一个包含一个碳化硅(SiC)MOSFET和一个碳化硅肖特基二极管的模块,彼此独立。适用于在高温环境下实现高效 Buck(降压)或 Boost(升压)DC-DC 转换器。本产品保证在 -55°C 至 +210°C (Tj) 的整个范围内正常运行。每个器件的击穿电压都超过 1200V,并且能够切换高达 20A 的电流。SiC MOSFET 的导通电阻在 25°C 时为 60mΩ,在 210°C 和 VGS=20V 时为 120mΩ。SiC 肖特基二极管在 20A 时的正向电压为 1.5V。
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    CHT-PLUTO-C1230 1200V/30A 降压或升压 SIC MOSFET 模块
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    CHT-PLUTO-B1220 是一款采用单个密封模块的高温 1200V/20A 双碳化硅 MOSFET。本征体二极管可以用作续流二极管,建议使用小占空比来限制损耗。它适用于在高温环境下为 DC-DC 转换器或电机驱动等应用实施功率半桥。两个独立的开关可以并联使用以提供总计 40A 的电流。本产品保证在 -55°C 至 +210°C (Tj) 的整个范围内正常运行。每个 MOSFET 的击穿电压都超过 1200V,并且能够切换高达 20A 的电流。它们的导通电阻在 25°C 时为 40mΩ,在 210°C 和 VGS=20V 时为 120mΩ。
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    NEPTUNE-1210 是一种高温、高压、碳化硅 (SiC) MOSFET 开关。它采用金属 TO-257 封装——金属外壳与开关端子隔离。该产品保证在 -55°C 至 +225°C 的整个范围内正常运行。该器件的击穿电压超过 1200V,并且能够在最高温度 (225°C) 下切换高达 10A 的电流。该器件具有可用作续流二极管的体二极管。 这个新版本 D (PLA8543D) 取代了过时的版本 C (PLA8543C),提供更低的导通电阻和等效的开关能量。

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