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  • EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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  • 三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台
    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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  • CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

    CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。

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  • CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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  • CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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  • 基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计助力先进电机应用
    2024-03-29 基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计助力先进电机应用
    CISSOID推出的基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计,为用户提供了一个开箱即用的解决方案,可大幅降低开发难度和成本。
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  • 2024-07-17 高功率空间矢量控制 SiC 逆变器 PMSM 驱动器的简化死区时间补偿方案的实施与验证
          在拉合尔管理科学大学举办的第 25 届 IEEE 电力电子控制与建模研讨会上,我们的工程师将介绍一种驱动永磁同步电机时死区时间补偿的简化方法。      该方案计算量较少,通过抑制电压误差和低阶谐波,减少电机中涡流引起的热量积聚,可将总谐波失真 (THD) 降低 4%。      摘要 — 必须实施死区时间,以避免三相半桥
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  • 助力自主驾驶汽车电驱动创新的完美拍档:CISSOID 碳化硅逆变器控制模块
    2024-06-29 助力自主驾驶汽车电驱动创新的完美拍档:CISSOID 碳化硅逆变器控制模块
    专为电动汽车市场设计的 CISSOID 软件驱动型碳化硅逆变器控制模块内部集成可编程硬件,可缩短关键事件的响应时间,降低处理器核心负荷并提高功能安全性。该模块将集成到 Applied EV 的 Digital Backbone™ 数字底座中,这是一个结合尖端软件和硬件的中央控制系统,为安全评级车辆树立了新标杆。
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  • CISSOID 助力更快开发逆变器,BONCHIP提供全线产品及最佳服务
    2024-06-29 CISSOID 助力更快开发逆变器,BONCHIP提供全线产品及最佳服务
    作为高度模块化的解决方案,EVK-PLA1060 车载逆变器参考设计可根据需要进行配置和定制。它由功率模块、控制板、低 ESL(等效串联电感)直流环节电容器、紧凑型 EMC(电磁兼容性)滤波器和电流传感器组成。
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  • 2024-06-27 提高 PMSM 效率并减少发热量 实施和验证高功率空间矢量控制 SiC 逆变器 PMSM 驱动器的简化死区补偿方案
    ‌    在拉合尔管理科学大学举办的第 25 届 IEEE 电力电子控制与建模研讨会上,我们的工程师将介绍一种驱动永磁同步电机时死区补偿的简化方法。     该方案计算量较少,通过抑制电压误差和低阶谐波,可使总谐波失真 (THD) 降低 4%,从而减少电机中涡流引起的热量积聚。        摘要 — 实施死区是强制性的,以避免三相半桥
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  • CISSOID在PCIM Europe 2024上推出尖端SiC逆变器解决方案
    2024-06-12 CISSOID在PCIM Europe 2024上推出尖端SiC逆变器解决方案
    ‌2024年6月7日CISSOID很高兴地宣布参加PCIM 2024展览会,这是电力电子领域最大的活动。从6月11日(星期二)到6月13日(星期四),与会者受邀参观9号展厅622号展位,探索CISSOID在碳化硅(SiC)功率半导体和逆变器技术方面的最新创新。发现尖端产品和服务,并与团队一起讨论这些进步如何使用户的应用程序受益。惊喜在展台等待,使此次活动成为行业专业人士不容错过的机会。Si
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  • 2024-05-20 智能单一油冷却系统研究项目启动
    智能单一油冷却系统研究项目启动比利时蒙特圣吉伯特 - 2024年3月19日。智能单油冷却系统研究项目是在IRVA(工业研究评估和加速)的机构下组织的,并在根特大学机械和工厂工业研究设施举行的第一次正式项目会议上启动,该会议与Flanders Make和MOBI电动汽车研究中心合作。与工业合作伙伴Dana Incorporated、CNH Industrial和卢布里索尔公司一起,我们深入探讨了项目的挑战和期望,为
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  • CISSOID将参加APEC 2024电子展
    2024-02-26 CISSOID将参加APEC 2024电子展
    CISSOID将参加APEC 2024年IEEE应用电力电子会议和博览会。会议将于2月25日至29日在加利福尼亚州长滩举行。
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  • 高温电子技术的发展与挑战
    2023-11-30 高温电子技术的发展与挑战
    高温电子技术,涉及到基础材料、先进半导体工艺,以及极限封装、组装技术等,将随着SiC的普及和大规模应用而全面进入电力电子的各个领域,将是一门越来越受重视的、跨界的前沿学科。
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  • ‌CISSOID将于2023年9月12日至14日在底特律举行的美国电池展上亮相
    2023-09-04 ‌CISSOID将于2023年9月12日至14日在底特律举行的美国电池展上亮相
    ‌CISSOID将于2023年9月12日至14日在底特律举行的美国电池展上亮相,该公司将在电动汽车展览会上展示其SiC智能电源模块和SiC逆变器参考设计。
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  • CISSOID将在上海电力电子展上展示其SiC智能功率模块和SiC逆变器参考设计
    2023-08-25 CISSOID将在上海电力电子展上展示其SiC智能功率模块和SiC逆变器参考设计
    ‌在2023年8月29日至31日的上海电力元件管理展览会(PCIM Asia)上,我们很高兴能够与您见面。该展会是一个国际性的聚会,专门为电力电子及其应用领域的专家提供交流平台。CISSOID将在展会上展示其SiC智能功率模块和SiC逆变器参考设计。我们的逆变器参考设计采用模块化的SiC技术,结合稳定可靠的SiC门极驱动器技术和紧凑的SiC智能功率模块平台。CISSOID将展示其全新的模块化碳
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  • Cissoid、英飞凌、安森美、东芝、德州仪器共同探讨SiC、GaN未来五年发展趋势!
    2023-07-06 Cissoid、英飞凌、安森美、东芝、德州仪器共同探讨SiC、GaN未来五年发展趋势!
    在600V-1700V电压应用领域中,与Si MOSFET和IGBT相比,SiC MOSFET具有更大的性能优势。随着半导体公司不断新建SiC制造产线,SiC功率器件的价格会持续下降,但Si技术也会更加成熟,SiC器件与Si器件会长期存在价格差。当然,市场对SiC MOSFET的高需求将促使用户接受这种价格差。”Cissoid首席技术官Pierre Delatte称,通过系统级的性能和成本收益,来证明向SiC器件的过渡是合理的。“传导和开关损耗的降低、卓越的热性能,将促使SiC技术逐渐替代Si技术,SiC将在电池效率和重量/体积至关重要的应用中发挥作用。
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  • CISSOID引入了新系列P通道高温功率MOSFET晶体管
    2010-02-20 CISSOID引入了新系列P通道高温功率MOSFET晶体管
    CISSOID 的 VENUS系列在恶劣环境下,从摄氏负 55 度到 225 度,使任何需要可靠功率控制的系统能得以设计,从电机驱动器,DC-DC 转换器和开关电源,到逆变器。此外,P通道晶体管使设计及高边开关的控制更容易,避免引导或电荷泵技术。有了 VENUS 产品,系统设计工程师可以节省成本,提高可靠性,改善重量,同时从其应用中禁止液体冷却,例如工业通程控制,汽车电池充电器和飞机执行器。
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  • CISSOID与Silicon Mobility扩大合作伙伴关系, 提供完整的SiC逆变器参考设计
    2023-06-28 CISSOID与Silicon Mobility扩大合作伙伴关系, 提供完整的SiC逆变器参考设计
    该参考设计包括CISSOID基于SiC的高压功率模块、集成化栅极驱动器,以及采用Silicon Mobility超快速、安全的OLEA T222 FPCU的控制板,直流和相电流传感器,直流母线电容器和EMI滤波,以及集成化液体冷却装置。CISSOID还将销售和交付Silicon Mobility的电动汽车动力总成控制软件OLEA® APP INVERTER,由此可为客户提供一个已全面集成的完整开发平台。
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  • CISSOID和Silicon Mobility合作开发完整的SiC逆变器参考设计
    2023-06-28 CISSOID和Silicon Mobility合作开发完整的SiC逆变器参考设计
    该参考设计包括基于SiC的高压功率模块、集成栅极驱动器板、控制板、直流和相电流传感器、直流链路电容器和集成液体冷却的EMI滤波,以及芯力能的超快速和安全的OLEA T222 FPCU、直流和相电流传感器、直流链路电容器和集成液体冷却的EMI滤波。
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  • CISSOID为Honeywell将停产高温微电子产品的客户提供相应替代品
    2018-02-28 CISSOID为Honeywell将停产高温微电子产品的客户提供相应替代品
    Honeywell公司宣布限期最后接单后,即将停产其高温微电子产品所带来的影响,同时发布了一份CISSOID等效器件部品的型号互查表,所有的产品额定温度范围同样都为-55°C到225°C,同时还可以提供裸芯片(bare die)
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  • CISSOID将在EV展上展示SiC智能功率模块和SiC逆变器参考设计
    2023-05-23 CISSOID将在EV展上展示SiC智能功率模块和SiC逆变器参考设计
    该参考设计包括 CISSOID 的基于 SiC 的高压电源模块、集成栅极驱动器板、采用 Silicon Mobility 超快速且安全的 OLEA T222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流链路电容器和 EMI 滤波以及集成液体冷却。CISSOID 还将销售和提供 Silicon Mobility 的用于电动汽车动力系统控制的 OLEA® APP INVERTER 软件,为客户提供一个准备进行集成工作的开发平台。
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  • CISSOID将在电力电子展上展示其SiC智能功率模块和SiC逆变器参考设计
    2023-04-25 CISSOID将在电力电子展上展示其SiC智能功率模块和SiC逆变器参考设计
    该参考设计包括 CISSOID 的基于 SiC 的高压电源模块、集成栅极驱动器板、采用 Silicon Mobility 超快速且安全的 OLEA T222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流链路电容器和 EMI 滤波以及集成液体冷却。CISSOID 还将销售和提供 Silicon Mobility 的用于电动汽车动力系统控制的 OLEA® APP INVERTER 软件,为客户提供一个准备进行集成工作的开发平台。
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  • CISSOID将在电力电子博览会上展示其SiC智能功率模块和SiC逆变器平台
    2023-02-19 CISSOID将在电力电子博览会上展示其SiC智能功率模块和SiC逆变器平台
    该公司将展示其 SiC 智能功率模块和 SiC 逆变器平台。 CISSOID 的SiC 逆变器入门套件将 CISSOID 的三相 1200V/340A-550A SiC 智能功率模块与 Silicon Mobility T222 FPCU 控制器板和 OLEA 逆变器软件集成在一起, 可加速紧凑、轻量化和高效电机驱动器的设计。该平台包括一个参考冷却器和一个专门设计的直流链路电容器。该公司还为电流传感器和 EMC 滤波器的集成提供支持。
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  • CISSOID、NAC和Advanced Conversion合作开发高功率密度SiC逆变器   提供针对CISSOID的SiC智能功率模块优化的6组直流链路电容器
    2022-06-23 CISSOID、NAC和Advanced Conversion合作开发高功率密度SiC逆变器 提供针对CISSOID的SiC智能功率模块优化的6组直流链路电容器
    高温半导体和电源模块领域的领导者 CISSOID 与 NAC Group 和适用于高要求应用的高性能电容器领域的领导者 Advanced Conversion 合作,提供紧凑且最佳集成的三相 SiC 电源堆栈,结合了 CISSOID 的 1200V SiC 智能电源模块和 Advanced Conversion 的 6 组低 ESR/ESL 直流链路电容器。该电源堆栈可以进一步与控制器板和液体冷却器集成,为电机驱动器的高功率密度和高效率 SiC 逆变器(见图)的设计提供完整的硬件和软件平台。
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