SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细基于 CISSOID 的SiC逆变控制模块（ICMs），提供广泛的电压和功率范围，参考设计可支持高达850V的工作母线电压和350kW的功率输出，达到出色的52kW/升功率密度（60s峰值功率）。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细 CISSOID 和 Richardson RFPD 将于 2026年 3 月 22 日至 26 日在德克萨斯州圣安东尼奥市亨利·B·冈萨雷斯会议中心举行的APEC 2026 上展示先进的电源解决方案。
CISSOID 将参加即将在德克萨斯州圣安东尼奥举行的 2026 年 IEEE 应用电力电子会议暨展览会 (APEC)。作为电力电子行业的领先盛会，APEC 为我们展示高密度功率半导体技术的最新创新成果提供了理想的平台。
我们荣幸地宣布，我们将与新的全球分销合作伙伴Richardson RFPD共同参展。诚邀各位莅临 419 号展位，届时 CISSOID 的专家将现场为您展示我们高性能的功率模块。展位还将展出一套完整的逆变器系统，重点展示我们碳化硅 (SiC) 技术的效率、可靠性和紧凑尺寸。
通过与 Richardson RFPD 合作，我们正在扩大面向全球电动汽车、航空航天和重型工业领域的尖端解决方案的覆盖范围。我们诚邀您莅临419 号展位，了解我们的技术并探讨您的具体应用需求。
活动链接： https://apec-conf.org/
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