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    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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深圳市邦晶科技有限公司是CISSOID授权代理商,本网站使用的所有产品名称,商标,品牌等均属于CISSOID品牌厂家所有。
CISSOID是一家总部位于比利时的半导体器件厂商,专为极端温度与恶劣环境下的电源管理、功率转换与信号调节提供标准产品与定制解决方案。CISSOID 拥有高温隔离式栅极驱动器、高压 SiC MOSFET 开关等强大的半导体产品与评估套件组合。其他产品还包括直流到直流转换器和线性稳压器、功率驱动器 IC、通用 IC 及分立组件。其产品性能可靠,可在 -55°C 至 +225°C 的温度范围,及超出该范围的温度下工作,无论是在低温区的最低点还是高温区的最高点,其性能都不会受影响。产品可广泛应用于航空、航天、石油开采、智能电网、送配电、马达驱动、电力机车牵引、可再生能源生产、不间断电源、混合动力与电动汽车、高铁等等领域,可在极端温度和恶劣条件下,为客户提供现成可用的电源管理、电源转换和信号调节产品及解决方案。

CISSOID是一家无晶圆厂的半导体公司,专注于高功率电子领域,塑封芯片可达到175℃的工作温度,在陶瓷封装中可达到225℃的工作温度。

我们的背景和专长在于提供高温、高可靠性的电力电子解决方案。我们与全球领先的油气行业合作超过20年,积累了丰富的经验。自2016年开始,我们开始专注于汽车和工业市场。

我们具备关键的门极驱动技术和深入的SiC和GaN经验,这将是下一代电动汽车和混合动力车的关键电机驱动解决方案。

我们与中国伙伴(清华大学、IEE-CAS、华中科技大学、环旭、康斯玛、埃斯普里特等)紧密合作,覆盖完整的供应链,包括晶圆厂和封装。此外,我们还将组建中国团队,支持客户开发和开发活动。

最近,我们开发了多种工业和汽车应用的1相和3相SiC MOSFET IPM功率模块。(高温SOI集成电路技术与碳化硅功率器件的完美结合!)


CISSOID公司是各个行业中所需高温半导体解决方案的领导者。

专注于汽车领域,我们可提供高效的功率转换和精巧的电机驱动方案:适用于SiC和 GaN 开关管的高压门驱动,具低电感及增强热性能的功率模块,以及超越AEC-Q100 0级质量标准的175°C工作温度的汽车级元器件。

面向航空、工业和石油及天然气市场,我们专为极端温度与恶劣环境提供信号调节、电机控制、时钟及电源管理方面的解决方案。CISSOID产品性能可靠,可在-55°C~ +225°C温度范围的条件下工作。

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