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    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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关于冲突矿物的声明
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英文版ISO9001:2015证书
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CISSOID产品符合RoHS标准
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中文版ISO9001:2015证书
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为了最好地服务于我们所面对的严苛市场,CISSOID专注于质量和可靠性。

因为质量是构建良好产品的根本,我们实施了基于ISO9001:2008的质量管理体系,并在其上添加了特定的可靠性要求。

我们的质量管理体系包括多个流程,以确保我们的产品是高温应用的高质量产品,同时也是150°C至225°C应用的高可靠性。

CISSOID产品卓越的可靠性来自于25年在高温、高可靠性半导体产品开发和制造方面的经验。



质量认证

CISSOID已通过IOS9001:2015认证:

英文版ISO9001:2015证书
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CISSOID质量政策

CISSOID旨在达到最佳质量水平,通过我们的产品、服务和支持所带来的总客户体验来衡量,与我们的业务目标保持一致。总客户体验由高质量产品、可靠承诺、充分透明度、专业行为、高道德标准、及时支持以及符合当地和国际法律法规等因素推动。

CISSOID产品卓越的可靠性来自于25年在高温、高可靠性半导体产品开发和制造方面的经验。从设计到仿真,从晶片加工到封装技术,从特性测试到数万小时寿命测试,CISSOID产品在制造流程的每个步骤中都受益于最锐利的专业知识,以应对恶劣环境下极端温度应用。高温半导体是我们的核心业务。

每个利益相关者,无论是员工还是供应商,都应该意识到他/她对我们客户总体验的影响,并不断努力改进。作为一个组织,CISSOID监控并不断改进其流程,以实现更好的客户体验。


RoHS

大多数 CISSOID 产品都符合 RoHS 标准:请参见我们的RoHs声明


冲突矿物

“冲突矿物”涉及到我们产品制造过程中所使用矿物来源的透明度。请参见我们的冲突矿物声明

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