产品展示

助力碳化硅器件性能发挥极致!

Cissoid授权代理商:深圳市邦晶科技有限公司

公司来自比利时,是高温半导体解决方案的领导者,专为极端温度与恶劣环境下的电源管理、功率转换与信号调节提供标准产品与定制解决方案。致力于为极端温度和恶劣环境下的电源管理、电源转换和信号调节提供标准产品和定制解决方案,旗下产品均可稳定工作在-55°C至+175°C,部分产品可达+225°C。

热门产品
  • EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

    查看详细
  • EVK-PLA1121A  三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1121A 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1121A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。

    查看详细
  • EVK-PLA1108A 三相全桥1200V/450A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1108A 三相全桥1200V/450A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1108A 是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/450A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

    查看详细
  • EVK-PLA1106A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1106A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1106A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。

    查看详细
  • CMT-PLA3SB12340A 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340A 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

    查看详细
关于我们
CISSOID致力于为极端温度和恶劣环境下的电源管理、电源转换和信号调节提供标准产品和定制解决方案,旗下产品均可稳定工作在-55°C至+175°C,部分产品可达+225°C。

我们可提供高效的功率转换和精巧的电机驱动方案:适用于SiC和 GaN 开关管的高压门级驱动,具低电感及增强热性能的功率模块,以及超越AEC-Q100 0级质量标准的175°C工作温度的汽车级元器件。
 
面向航空、工业和石油及天然气市场,我们专为极端温度与恶劣环境提供信号调节、电机控制、时钟及电源管理方面的解决方案。CISSOID产品性能可靠,可在-55℃~ +225℃温度范围的条件下长期工作。



最新资讯
  • ‌CISSOID将于2023年9月12日至14日在底特律举行的美国电池展上亮相

    ‌CISSOID将于2023年9月12日至14日在底特律举行的美国电池展上亮相,该公司将在电动汽车展览会上展示其SiC智能电源模块和SiC逆变器参考设计。

    2023-09-04
    ‌CISSOID将于2023年9月12日至14日在底特律举行的美国电池展上亮相
  • CISSOID将在上海电力电子展上展示其SiC智能功率模块和SiC逆变器参考设计

    ‌在2023年8月29日至31日的上海电力元件管理展览会(PCIM Asia)上,我们很高兴能够与您见面。该展会是一个国际性的聚会,专门为电力电子及其应用领域的专家提供交流平台。CISSOID将在展会上展示其SiC智能功率模块和SiC逆变器参考设计。我们的逆变器参考设计采用模块化的SiC技术,结合稳定可靠的SiC门极驱动器技术和紧凑的SiC智能功率模块平台。CISSOID将展示其全新的模块化碳

    2023-08-25
    CISSOID将在上海电力电子展上展示其SiC智能功率模块和SiC逆变器参考设计
  • Cissoid、英飞凌、安森美、东芝、德州仪器共同探讨SiC、GaN未来五年发展趋势!

    在600V-1700V电压应用领域中,与Si MOSFET和IGBT相比,SiC MOSFET具有更大的性能优势。随着半导体公司不断新建SiC制造产线,SiC功率器件的价格会持续下降,但Si技术也会更加成熟,SiC器件与Si器件会长期存在价格差。当然,市场对SiC MOSFET的高需求将促使用户接受这种价格差。”Cissoid首席技术官Pierre Delatte称,通过系统级的性能和成本收益,来证明向SiC器件的过渡是合理的。“传导和开关损耗的降低、卓越的热性能,将促使SiC技术逐渐替代Si技术,SiC将在电池效率和重量/体积至关重要的应用中发挥作用。

    2023-07-06
    Cissoid、英飞凌、安森美、东芝、德州仪器共同探讨SiC、GaN未来五年发展趋势!
合作伙伴

我们很自豪能与我们细分市场的领导者合作

  • 阿尔斯通公司
  • 中国航空工业国际
  • 中石化
  • 中石油
  • 美国航空航天局
  • 中海油

Cissoid授权代理商:深圳市邦晶科技有限公司 版权所有 © 2008-2023 Inc. 粤ICP备2023088585号 网站地图 

IPv6 network supported