EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

EVK-PLA1121A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。

EVK-PLA1108A 是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/450A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

EVK-PLA1106A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。

CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。

CMT-TIT8244是一款针对额定温度为125°C（Ta）的62mm碳化硅（SiC）MOSFET功率模块进行优化的栅极驱动器板。该板基于CISSOID HADES栅极驱动器芯片组，为汽车和工业应用中的高密度功率转换器的设计提供了热余量。它实现了高频（>100KHz）和快速的SiC MOSFET开关（dV/dt>50KV/µs），提高了功率转换器的效率，并减小了其尺寸和重量。 该板设计用于恶劣的电压环境，支持1700V电源模块的驱动，隔离电压高达3600V（50Hz，1min），爬电距离为14mm。欠压锁定（UVLO）、有源米勒箝位（AMC）和去饱和检测等保护功能可确保电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。

SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。

CXT-PLA3SA124550A是一款三相 1200V/550A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和基于 CISSOID HADES2 芯片组的栅极驱动器。 该模块通过轻型 AlSiC Pin Fin 基板进行冷却，可解决高功率密度转换器的问题，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案充分发挥了 SiC 技术的优势，可通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。

CXT-PLA3SA12450A是一款三相 1200V/450A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和基于 CISSOID HADES2 芯片组的栅极驱动器。 该模块通过轻型 AlSiC Pin Fin 基板进行冷却，可解决高功率密度转换器的问题，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案充分发挥了 SiC 技术的优势，可通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。

CXT-PLA3SA12340A是一款三相 1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和基于 CISSOID HADES2 芯片组的栅极驱动器。 该模块通过轻型 AlSiC Pin Fin 基板进行冷却，可解决高功率密度转换器的问题，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案充分发挥了 SiC 技术的优势，可通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。