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    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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三维模型和可信赖的散热特性使快速地实现功率转换器设计成为可能

日期:2023-07-01 人气:184

CXT-PLA3SA12450AA的一大优势,即门级驱动和功率部分(含有AlSiC针翅水冷底板)高度集成。该特点使得IPM与电驱总成的其他部分,如直流电容、冷却系统可以快速结合,如图2所示。CISSOID提供了各个部件的精确的3D参考设计,客户的系统设计人员由此作为起点,可在极短的时间内实现目标系统设计。

IPM充分利用了SiC功率器件的低导通和低开关损耗特性,并与门级驱动进行了系统级的协调以获得整体性能的最佳优化,在提供最优性能的同时,也有效地降低了散热系统的空间占用,并提高了功率转换器的效率。

CXT-PLA3SA12450AA与DC电容和水冷的集成

CXT-PLA3SA12450AA与DC电容和水冷的集成

在Rjl(结到流体热阻)为 0.15°C/W,流速为10L/min(50%乙二醇,50%水),入口水温75°C的条件下,可以计算出最大连续漏极电流允许值与外壳温度之间的关系(基于最高结温时的导通电阻和最大工作结温来计算),如图3所示。

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CXT-PLA3SA12450AA最大连续漏极电流允许值与外壳温度之间的关系

最大连续漏极电流(允许值)有助于理解和比较功率模块的额定电流;品质因数(Figure of Merit ,FoM)则揭示了相电流均值与开关频率的关系,如图4所示。该曲线是针对总线电压600V、外壳温度90°C、结温175°C和占空比为50%的情况计算的。FoM 曲线对于了解模块的适用性更为有用。由于CXT-PLA3SA12450AA的可扩展性,图4还推断出了1200V/600A 模块的安全工作范围(虚线所示)。

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CXT-PLA3SA12450AA的相电流(Arms)与开关频率的关系

(测试条件:VDC= 600V,Tc = 90°C,Tj <175°C,D = 50%),以及对未来的1200V/600A 模块(CXT-PLA3SA12600AA,正在开发中)进行推断

此外,门极驱动器还包括了直流侧电压监测功能,采用了更为紧凑的变压器模块;最后,CXT-PLA3SA12450AA的安全规范符合2级污染度要求的爬电距离。

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