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  • 产品介绍

规格参数

  • 功率器件结温:-40°C 至 +175°C
  • 栅极驱动器环境温度:-40°C 至 125°C
  • 漏源击穿电压:1200V
  • 低导通电阻:3.25mOhms(典型值)
  • 最大连续电流:Tc=25°C/90°C 时为 340A/260A
  • 轻质 AlSiC 平面基板
  • 结至外壳热阻:0.183 °C/W(典型值)
  • 开关能量@ 600V/300A:Eon=8.42mJ/Eoff=7.05mJ
  • 开关频率:最大 50kHz
  • 隔离(底板 - 电源引脚):3600VAC @50Hz(1 分钟)
  • 共模瞬态抗扰度:>50kV/μs
  • 低寄生电容(初级-次级):每相典型值为 11pF
  • 栅极驱动器保护: 
    • 欠压锁定 (UVLO)
    • 去饱和保护
    • 软关机(SSD)
    • 负栅极驱动(-3V)
    • 有源米勒钳位 (AMC)
    • 栅源短路保护

应用领域

  • 电动汽车 (EV) 电机驱动
  • 重型电机驱动器和有源整流器
  • 工业电机驱动器
  • 航空航天电机驱动器和机电执行器

设计支持

如果您需要基于 SiC 的电源转换器设计的支持,请联系我们

如下资料还请联系我们

 CMT-PLA3SB12340A 数据表 ,包括详细的应用部分。

 CMT-PLA3SB12340A 3D 步骤文件 ,以虚拟集成到您的电源逆变器设计中。

有关 CISSOID SiC 智能功率模块的直流链路电容器的应用说明

 CMT-PLA3SB12340A LTspice 模型

订购信息

产品名称型号标记订货渠道
CMT-PLA3SB12340ACMT-PLA3SB12340AACMT-PLA3SB12340AA邦晶

 

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