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  • EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

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    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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助力自主驾驶汽车电驱动创新的完美拍档:CISSOID 碳化硅逆变器控制模块

日期:2024-06-29 人气:80

行业领先的软件定义机器™ 车辆控制系统技术供应商 Applied EV 今日宣布,他们选择集成 CISSOID 全新系列的 CXT-ICM3SA 碳化硅逆变器控制模块 (ICM) 驱动其最新一代自动驾驶汽车电动机。

专为电动汽车市场设计的 CISSOID 软件驱动型碳化硅逆变器控制模块内部集成可编程硬件,可缩短关键事件的响应时间,降低处理器核心负荷并提高功能安全性。该模块将集成到 Applied EV 的 Digital Backbone™ 数字底座中,这是一个结合尖端软件和硬件的中央控制系统,为安全评级车辆树立了新标杆。

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Applied EV 首席执行官 Julian Broadbent 表示:“Applied EV 和 CISSOID 都认识到功能安全对于自动驾驶汽车的开发和部署至关重要。此次合作将把 CISSOID 的逆变器控制模块集成到我们的 Digital Backbone™ 中,从而加快开发周期,让我们的客户在最短的时间内获得最安全的车辆。

CISSOID 首席执行官 Dave Hutton 表示:“我们很高兴与 Applied EV 携手踏上这次合作之旅,共同推动电动汽车领域的创新。通过结合我们在电动机设计方面的专业知识以及 Applied EV 在软件和车辆集成方面的专长,我们的目标是携手打造一个引领未来的电动汽车驱动平台,助力交通运输的可持续发展。

作为 CISSOID 在中国区的授权分销商,邦晶科技可为您提供全线 CISSOID 产品的销售、订购、技术支持以及最便捷的交货服务。

此次合作彰显了双方致力于推动汽车行业积极变革的共同承诺,并为全球交通运输的可持续发展做出贡献。

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