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    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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  • CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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  • CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

    CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。

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  • 三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台
    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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  • CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

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  • CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    2023-05-30 CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。
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  • CMT-TIT8244A 高温 1700V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    2023-06-01 CMT-TIT8244A 高温 1700V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    CMT-TIT8244是一款针对额定温度为125°C(Ta)的62mm碳化硅(SiC)MOSFET功率模块进行优化的栅极驱动器板。该板基于CISSOID HADES栅极驱动器芯片组,为汽车和工业应用中的高密度功率转换器的设计提供了热余量。它实现了高频(>100KHz)和快速的SiC MOSFET开关(dV/dt>50KV/µs),提高了功率转换器的效率,并减小了其尺寸和重量。该板设计用于恶劣的电压环境,支持1700V电源模块的驱动,隔离电压高达3600V(50Hz,1min),爬电距离为14mm。欠压锁定(UVLO)、有源米勒箝位(AMC)和去饱和检测等保护功能可确保电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。
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  • CXT-PLA3SA12550A三相全桥1200V/550A SiC MOSFET智能功率模块
    2023-05-30 CXT-PLA3SA12550A三相全桥1200V/550A SiC MOSFET智能功率模块
    CXT-PLA3SA124550A是一款三相 1200V/550A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和基于 CISSOID HADES2 芯片组的栅极驱动器。该模块通过轻型 AlSiC Pin Fin 基板进行冷却,可解决高功率密度转换器的问题,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案充分发挥了 SiC 技术的优势,可通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。
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  • CXT-PLA3SA12450A三相全桥1200V/450A SiC MOSFET智能功率模块
    2023-05-30 CXT-PLA3SA12450A三相全桥1200V/450A SiC MOSFET智能功率模块
    CXT-PLA3SA12450A是一款三相 1200V/450A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和基于 CISSOID HADES2 芯片组的栅极驱动器。该模块通过轻型 AlSiC Pin Fin 基板进行冷却,可解决高功率密度转换器的问题,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案充分发挥了 SiC 技术的优势,可通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。
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  • CXT-PLA3SA12340A 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET智能功率模块
    2023-05-30 CXT-PLA3SA12340A 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET智能功率模块
    CXT-PLA3SA12340A是一款三相 1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和基于 CISSOID HADES2 芯片组的栅极驱动器。该模块通过轻型 AlSiC Pin Fin 基板进行冷却,可解决高功率密度转换器的问题,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案充分发挥了 SiC 技术的优势,可通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。
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  • 配备用于电动汽车的液冷模块,满足航空航天领域自然冷却的需求
    2021-04-27 配备用于电动汽车的液冷模块,满足航空航天领域自然冷却的需求
    该公司还推出了一种基于轻质 AlSiC 平板基板的模块,可满足航空航天和专用工业应用中自然对流或强制冷却的需求。这些产品集成了三相 SiC MOSFET 模块和强大的栅极驱动器。
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  • 智能功率模块  用于电动交通
    2020-10-01 智能功率模块 用于电动交通
    一种智能功率模块(IPM),它集成了在快速开关碳化硅中实现的MOSFET晶体管,包括栅极驱动器和等液冷却板。该模块旨在为电动汽车中的牵引电机提供完整和优化的解决方案。
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  • CISSOID 推出用于电动汽车的三相 1200V/450A SiC MOSFET 智能功率模块
    2020-03-05 CISSOID 推出用于电动汽车的三相 1200V/450A SiC MOSFET 智能功率模块
    CISSOID 宣布推出用于电动汽车的新型三相 SiC MOSFET 智能功率模块 (IPM) 平台。这种新的 IPM 技术提供了一体化解决方案,包括带有内置栅极驱动器的三相水冷 SiC MOSFET 模块。
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  • CISSOID 为 Wolfspeed XM3 快速开关 SiC 电源模块提供稳健的栅极驱动器
    2020-01-14 CISSOID 为 Wolfspeed XM3 快速开关 SiC 电源模块提供稳健的栅极驱动器
    CISSOID为 Wolfspeed 的 XM3 SiC MOSFET 功率模块提供强大的栅极驱动器。针对高功率密度转换器,新型栅极驱动器板可安全驱动快速开关 SiC 电源模块,以实现低损耗,并可在空间受限的电机驱动器、紧凑型电源或快速电池充电器内的高温环境下运行。
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  • DIMAC RED 成为 CISSOID 官方经销商和代表合作伙伴
    2019-12-18 DIMAC RED 成为 CISSOID 官方经销商和代表合作伙伴
    CISSOID 宣布 DIMAC RED 成为 CISSOID 在欧洲的官方经销商和代表合作伙伴。DIMAC RED 将为 CISSOID 客户开发高效电源转换器和紧凑型电机驱动器提供支持。
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  • CISSOID 首席技术官 Pierre Delatte 在《Bodo 电源系统杂志》上发表了“用于半桥 SiC MOSFET 62mm 电源模块的高温栅极驱动器”
    2019-09-03 CISSOID 首席技术官 Pierre Delatte 在《Bodo 电源系统杂志》上发表了“用于半桥 SiC MOSFET 62mm 电源模块的高温栅极驱动器”
    为了充分利用快速开关和低损耗 SiC MOSFET,需要获得具有低寄生电感的优化电源模块,并拥有强大而快速的栅极驱动器来可靠、高效地驱动它们。
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  • CISSOID 将在纽伦堡举办的 PCIM 2019 上展示新型高温栅极驱动器、SiC MOSFET 和电源模块
    2019-05-02 CISSOID 将在纽伦堡举办的 PCIM 2019 上展示新型高温栅极驱动器、SiC MOSFET 和电源模块
    CISSOID 在全球领先的展览和会议 PCIM 2019 上展示新型高温栅极驱动器、SiC MOSFET 和 IGBT 功率模块适用于电力电子、智能运动、可再生能源和能源管理。
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  • CISSOID 在 HiTEN 2017 上展示新型高温 SiC 器件
    2017-07-06 CISSOID 在 HiTEN 2017 上展示新型高温 SiC 器件
    CISSOID 工程副总裁 Etienne Vanzieleghem 将展示新型高温半桥 1200V/30A SiC MOSFET 智能功率模块。欢迎您参观我们的展位并与 CISSOID 团队会面,讨论我们采用 TO-257 金属封装的新型高压 SiC MOSFET 和二极管。
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  • CISSOID 被提名为 2017 年Clean Sky 最佳项目奖
    2017-02-27 CISSOID 被提名为 2017 年Clean Sky 最佳项目奖
    Clean Sky HYPOTHESIS 项目已获得 2017 年合作伙伴奖“Clean Sky 最佳项目”提名。
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  • CISSOID 与 DDC 合作打造更紧凑、更可靠的 SiC IPM
    2016-10-13 CISSOID 与 DDC 合作打造更紧凑、更可靠的 SiC IPM
    在这项合作中,BTTC将开发高可靠性和高温变压器模块,嵌入电源和脉冲变压器,并针对CISSOID HADES2®隔离栅极驱动器进行优化。该解决方案将用于CISSOID开发的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),使其更加紧凑可靠。
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  • CISSOID 发布 HADESv2,一款适用于高功率密度应用的隔离式栅极驱动器
    2015-03-24 CISSOID 发布 HADESv2,一款适用于高功率密度应用的隔离式栅极驱动器
    CISSOID推出了第二代HADES®,一种高度集成的隔离栅极驱动器。HADES®针对基于快速开关碳化硅(SiC)晶体管、传统功率MOSFET和IGBT的高密度功率转换器、电机驱动器和致动器。利用CISSOID产品无与伦比的坚固性,栅极驱动器HADES®v2在恶劣环境中带来了高可靠性和延长的使用寿命,具备驱动隔离式高压半桥中电源开关栅极的所有功能。
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  • 三相SiC 栅极驱动器 碳化硅
    2023-06-17 三相SiC 栅极驱动器 碳化硅
    ‌CXT-PLA3SA12450AA 三相栅极驱动器的设计,源自已经得到充分测试验证的CMT-TIT8243 [1,2] 和CMT-TIT0697[3] 单相栅极驱动器板,分别设计用于62mm 1200V/300A 和快速开关XM3 1200V/450A SiC MOSFET 功率模块( 请参见图4)。三相栅极驱动器经过优化,可以直接安装在CXTPLA3SA12450功率模块的顶部,这归功于更为紧凑的变压器设计或略微调整的爬电距离设定。CXT-PLA3SA12450AA 栅极驱动器还包括直流总线电压监视功能。
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  • CHT-HYPERION-CSOIC28-T 高温 高可靠性  40V 半桥栅极驱动器
    2023-06-01 CHT-HYPERION-CSOIC28-T 高温 高可靠性 40V 半桥栅极驱动器
    HYPERION适用于驱动DC-DC转换器中的MOSFET,以及电机控制应用和功率逆变器中的半桥栅极驱动器设计。典型的导通电阻为1欧姆,在200°C时,高侧和低侧都可以驱动高达1 nF的负载,传播延迟为40 ns,过渡时间为15 ns。内部自适应非重叠电路在MOSFET驱动应用中使用时,通过防止同时导通,进一步降低了开关损耗。高侧浮动驱动器是自举的,并且可以在自举节点上适应高达55V的电压。欠压锁定功能保持高压侧开关断开,直到驱动器具有足够的电压进行正确操作。撬棍输入独立于输入信号状态开启低侧驱动器,并且低侧禁用引脚允许在非同步模式下操作。关闭引脚关闭高侧驱动器和低侧驱动器。
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  • CHT-TIT0521B-CQFP32-T 高温 高可靠性  栅极驱动器二次侧 IC
    2023-06-01 CHT-TIT0521B-CQFP32-T 高温 高可靠性 栅极驱动器二次侧 IC
    CHT-HADES2S 是一款高温、高可靠性单芯片全集成栅极驱动器,专门设计用于驱动宽带隙高压/大功率晶体管,特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件。由于其体积小且所需的外部组件数量少,它提供了市场上最紧凑的解决方案。它还具有业内同类产品中最高的输出电流。CHT-HADES2S 可在标准温度应用(例如 125°C)中与标准硅 MOSFET 和 IGBT 一起使用,与传统解决方案相比,它可将可靠性和使用寿命提高一个数量级。该电路具有推挽式晶体管,每个晶体管能够提供/吸收高达 12A 的电流。它还包括软关断、低压锁定、CHT-HADES2S 可单独使用或与 CHT-HADES2P 结合使用,CHT-HADES2P 可生成控制信号以驱动高带宽晶体管。
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  • CHT-TIT9687B-CQFP32-T 高温 高可靠性  栅极驱动器初级侧 IC
    2023-06-01 CHT-TIT9687B-CQFP32-T 高温 高可靠性 栅极驱动器初级侧 IC
    CHT-HADES2P是一种高温、高可靠性的栅极驱动器解决方案的单片初级侧。它实现了电流模式控制的DC-DC反激式转换器,用于生成车载电源和从外部控制接口到2个二次侧的隔离数据传输,并执行本地故障管理。该器件的设计方式是尽可能多地减少所需的外部无源器件的数量,并限制对高电容器值的要求(高温下的大占地面积)。其特点是对输入电源进行UVLO监测,使用线性电压调节器生成本地5V电源电压,并向次级侧对数据信号进行开/关键控调制。它为输入PWM信号提供了宽的电压范围(5至15V)和磁滞,以增强对系统噪声的免疫力;它还具有对PWM信号的尖峰滤波功能,以防止瞬间的虚假开启/关闭
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