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    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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CHT-HADES2S 是一款高温、高可靠性单芯片全集成栅极驱动器,专门设计用于驱动宽带隙高压/大功率晶体管,特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件
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CHT-TIT0521B-CQFP32-T 高温 高可靠性 栅极驱动器二次侧 IC

CHT-HADES2S 是一款高温、高可靠性单芯片全集成栅极驱动器,专门设计用于驱动宽带隙高压/大功率晶体管,特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件。由于其体积小且所需的外部组件数量少,它提供了市场上最紧凑的解决方案。它还具有业内同类产品中最高的输出电流。CHT-HADES2S 可在标准温度应用(例如 125°C)中与标准硅 MOSFET 和 IGBT 一起使用,与传统解决方案相比,它可将可靠性和使用寿命提高一个数量级。该电路具有推挽式晶体管,每个晶体管能够提供/吸收高达 12A 的电流。它还包括软关断、低压锁定、

CHT-HADES2S 可单独使用或与 CHT-HADES2P 结合使用,CHT-HADES2P 可生成控制信号以驱动高带宽晶体管。
  • 型号:

    HADES2S
  • 产品介绍

规格参数

  • 工作温度:-55°C 至 +225°C
  • 电源电压:5至30V
  • 输出峰值电流:
    • 12A @ 125°C
    • 8A @ 225°C
  • RDS开启
    • 0.25Ω典型值。@ 25°C
    • 0.45Ω典型值。@ 225°C
  • 最大 PWM 频率:1MHz
  • 传播延迟:160 ns 典型值。
  • 上升时间/下降时间 (C Load =1nF):30ns 典型值
  • 隔离式 OOK 调制接口:
    •  1个 TX 和 RX 通道
  • 标准数字接口(PWM、FAULT)
  • 软关闭
  • 带可编程阈值和间隔时间的去饱和检测
  • 低压锁定 (UVLO)
  • 过温保护
  • 带有可编程故障自动重启定时器
  • 有源钳位(带外部 MOSFET)
  • 共模瞬变抗扰度:
    • >50kV/µs 典型值。
  • 能够驱动多种电源开关类型
  • 封装:陶瓷 CQFP32

 

应用场景

  • 非常适合汽车、航空航天、铁路、石油和天然气等高可靠性市场。
  • 电机驱动器:井下、电动汽车、铁路、工业泵……
  • DC-DC 转换器和 SMPS:电池充电器……
  • 逆变器:太阳能逆变器、智能电网、EV 和 HEV、三相逆变器、...
  • 电源转换:不间断电源、风力发电机……

我们可以提供评估套件EVK-HADES1210,用于实现基于 CHT-HADES2P 和 CHT-HADES2S 的高温隔离式栅极驱动器

如果您的高温设计需要支持,请联系我们

EVK-HADES2-schematic.jpg
基于 CHT-HADES2P 和 CHT-HADES2S 的隔离式高压半桥栅极驱动器

订购信息

产品名称型号
封装丝印
HADES2S
CHT-TIT0521B-CQFP32-TCeramic QFP32  CHT-TIT0521B
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