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    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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CHT-HADES2P 是一种耐高温、高可靠性的单芯片初级侧栅极驱动器解决方案。它实现了一个电流模式控制的 DC-DC 反激式转换器,用于生成车载电源和从外部控制接口到 2 个次级侧的隔离数据传输,并执行本地故障管理。
该器件的设计旨在尽可能减少所需的外部无源器件数量,并限制对高电容值(高温下大尺寸)的要求。
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CHT-TIT9687B-CQFP32-T 高温 高可靠性 栅极驱动器初级侧 IC

CHT-HADES2P是一种高温、高可靠性的栅极驱动器解决方案的单片初级侧。它实现了电流模式控制的DC-DC反激式转换器,用于生成车载电源和从外部控制接口到2个二次侧的隔离数据传输,并执行本地故障管理。

该器件的设计方式是尽可能多地减少所需的外部无源器件的数量,并限制对高电容器值的要求(高温下的大占地面积)。

其特点是对输入电源进行UVLO监测,使用线性电压调节器生成本地5V电源电压,并向次级侧对数据信号进行开/关键控调制。

它为输入PWM信号提供了宽的电压范围(5至15V)和磁滞,以增强对系统噪声的免疫力;它还具有对PWM信号的尖峰滤波功能,以防止瞬间的虚假开启/关闭
  • 型号:

    CHT-HADES2P
  • 产品介绍

规格参数

  • 工作温度:-55°C 至 +225°C
  • 供电电压:10-16.5V
  • 可配置欠压锁定
  • 集成反激式 DC-DC 转换器
    • 典型值。180 kHz 开关频率。
    • 电流模式控制
    • 逐周期限流
    • 集成开关晶体管(Rdson:0.8Ω)
    • 可选的外部开关晶体管
  • 收发器
  • 可配置的本地非重叠管理
  • 开路双故障输出
  • 高压双 PWM 输入
  • OOK调制接口:
    • 2 个 TX 和 RX 通道
  • 数据速率:
    • 每个 TX 通道高达 2 Mbits/s
  • 传播延迟(TX):
    • 典型值 40纳秒
  • TX 抖动(RMS 周期-2 周期):
    • 最大 6 纳秒
  • 调制输入滞后
  • 带有可编程故障自动重启定时器
  • PWM 路径上的可配置 500ns 尖峰滤波器
  • 共模瞬变抗扰度:
    •  > 50KV/µS 典型值。
  • 封装:陶瓷 CQFP32

 

应用场景

  • 非常适合汽车、航空航天、铁路、石油和天然气等高可靠性市场。
  • 电机驱动器:井下、电动汽车、铁路、工业泵……
  • DC-DC 转换器和 SMPS:电池充电器……
  • 逆变器:太阳能逆变器、智能电网、EV 和 HEV、三相逆变器、...
  • 电源转换:不间断电源、风力发电机……

我们可以 提供评估套件EVK-HADES1210,用于实现基于 CHT-HADES2P 和 CHT-HADES2S 的高温隔离式栅极驱动器

如果您的高温设计需要支持,请联系我们


基于 CHT-HADES2P 和 CHT-HADES2S 的隔离式高压半桥栅极驱动器

我们支持其客户制造高温和高可靠性混合模块,其大部分 CHT 产品作为裸片提供。请不要犹豫,联系我们索取产品图信息,包括产品尺寸、产品封装、位置和焊盘描述。

 

订购信息

产品名称型号
封装丝印
HADES2P
CHT-TIT9687B-CQFP32-TCeramic QFP32  CHT-TIT9687B
HADES2P
CHT-TIT968704-DUPotential Good Die
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