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    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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EVK-HADES1210 评估套件实现了一个基于 HADES v2 隔离式栅极驱动器和两个 CISSOID 的 NEPTUNE(一个 10A/1200V SiC MOSFET)的功率半桥。
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该参考设计基于第二代 HADES 芯片组,该芯片组由 2 个设备组成:主设备 CHT-HADES2P 和辅助设备 CHT-HADES2S。
该解决方案包括一个围绕 CHT-HADES2P PWM 控制器构建的隔离电源。
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EVK-TIT2785A-T 高温 高压 高可靠性 高压隔离式栅极驱动器

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评估板 EVK-HADES2® 可用于对 SiC MOSFET 器件进行即时测试。该板装有陶瓷封装的 CISSOID 集成电路,保证在 -55°C 至 +225°C 的温度范围内工作。该板基于聚酰亚胺 PCB(额定温度 200°C)。无源元件和去饱和二极管允许在高达 175°C 的温度下运行,并可能短时间偏移到 225°C 以进行测试。评估板随附完整的电气原理图、包括有源和无源元件的材料清单、Gerber 文件。
  • 型号:

    EVK-HADES1210
  • 产品介绍

规格参数

  • 电路板尺寸:68mm * 54mm
  • CISSOID 有源元件保证 -55° 至 +225°C (Tj)
  • 200°C 聚酰亚胺印刷电路板
  • 符合 175°C 环境条件的电路板
    • 允许在225°C的温度范围内进行短期偏移测试
  • 隔离高压侧和低压侧栅极驱动器
  • 提供浮动驱动器的隔离式 DC-DC 转换器
  • 高温 10A/1200V SiC MOSFET 开关
  • 直流母线电压:600V Typ.(设计最大 1200V)
  • 隔离(主要 - 次要):
    • 2,500VAC @50Hz(100 万次)
    • >100MΩ @ 500VDC
  • 共模瞬态抗扰度:30kV/µs Typ.(设计用于 50kV/µs)
  • 延迟时间(PWM 至 VOUT):200ns 典型值。
  • 栅极电压:标称 20V / -5V
  • 功率 FET 栅极上升时间:40ns 典型值。
  • 功率 FET 栅极下降时间:40ns 典型值。
  • DC-DC 转换器开关频率:180kHz Typ。
  • 单电源:[12-15V]±10%
  • 接口电压(数字 I/O):15V ±10%
  • 欠压锁定 (UVLO)
  • 用于 HS 和 LS 驱动器的独立 PWM 输入或具有板载非重叠的单个 PWM 输入
  • 去饱和保护
  • 隔离故障输出

 

应用场景

  • 非常适合汽车、航空航天、铁路、石油和天然气等高可靠性市场。
  • 电机驱动器:井下、电动汽车、铁路、工业泵……
  • DC-DC 转换器和 SMPS:电池充电器……
  • 逆变器:太阳能逆变器、智能电网、EV 和 HEV、三相逆变器、...
  • 电源转换:不间断电源、风力发电机……

EVK-HADES2-schematic.jpg
基于 CHT-HADES2P 和 CHT-HADES2S 的隔离式高压半桥栅极驱动器

订购信息

EVK-HADES1210 的产品简介见上文。
应用说明可应要求提供: EVK-HADES1210 应用说明文档

 

产品描述型号
EVK-HADES1210:
HADES®v2高温隔离式栅极驱动器 - 评估套件
EVK-TIT2785A-T
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