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    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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HYPERION 适用于驱动 DC-DC 转换器中的 MOSFET 以及电动机控制应用和功率逆变器中的半桥栅极驱动器设计
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CHT-HYPERION-CSOIC28-T 高温 高可靠性 40V 半桥栅极驱动器

HYPERION适用于驱动DC-DC转换器中的MOSFET,以及电机控制应用和功率逆变器中的半桥栅极驱动器设计。

典型的导通电阻为1欧姆,在200°C时,高侧和低侧都可以驱动高达1 nF的负载,传播延迟为40 ns,过渡时间为15 ns。内部自适应非重叠电路在MOSFET驱动应用中使用时,通过防止同时导通,进一步降低了开关损耗。高侧浮动驱动器是自举的,并且可以在自举节点上适应高达55V的电压。

欠压锁定功能保持高压侧开关断开,直到驱动器具有足够的电压进行正确操作。撬棍输入独立于输入信号状态开启低侧驱动器,并且低侧禁用引脚允许在非同步模式下操作。关闭引脚关闭高侧驱动器和低侧驱动器。
  • 型号:

    HYPERION
  • 产品介绍

规格参数

  • 温度范围:-55°C 至 225°C
  • 浮动高侧驱动器可维持高达 50 V 的升压电压
  • 快速上升和下降时间
  • 输出峰值电流超过1A
  • 集成高端阴极负载二极管 
  • 低压锁定 (UVLO)
  • 自适应非重叠电路
  • 数字控制:
    • 输出启用控制
    • 低端驱动器禁用
    • 短路器控制
  • 可用封装:陶瓷 SOIC28 和裸片

 

应用场景

用于石油和天然气、工业、航空航天和汽车的 DC-DC 转换器和电动机控制。

如果您的高温设计需要支持,请联系我们

 

订购信息

产品名称型号
封装丝印
状态
HYPERION
CHT-HYPERION-CSOIC28-T
Ceramic SOIC28 
CHT-HYPERION
在产
HYPERION
CHT-HYPERION-CDIL28-TCeramic DIL28
CHT-HYPERION
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