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CMT-TIT8244 是一款针对额定温度为 125°C (Ta) 的 62mm 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块优化的栅极驱​​动器板。该板基于 CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组,可为汽车和工业应用中的高密度功率转换器设计提供热裕量。它可实现高频 (>100KHz) 和快速 SiC MOSFET 的开关 (dV/dt>50KV/µs),从而提高效率并减小功率转换器的尺寸和重量。

该板专为恶劣电压环境而设计,支持驱动隔离电压高达 3600V(50Hz,1 分钟)且爬电距离为 14mm 的 1700V 电源模块。欠压闭锁(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)和去饱和检测等保护功能确保了电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。
CMT-TIT8244 是一款针对额定温度为 125°C (Ta) 的 62mm 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块优化的栅极驱​​动器板。该板基于 CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组,可为汽车和工业应用中的高密度功率转换器设计提供热裕量。它可实现高频 (>100KHz) 和快速 SiC MOSFET 的开关 (dV/dt>50KV/µs),从而提高效率并减小功率转换器的尺寸和重量。

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CMT-TIT8244A 高温 1700V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器

CMT-TIT8244是一款针对额定温度为125°C(Ta)的62mm碳化硅(SiC)MOSFET功率模块进行优化的栅极驱动器板。该板基于CISSOID HADES栅极驱动器芯片组,为汽车和工业应用中的高密度功率转换器的设计提供了热余量。它实现了高频(>100KHz)和快速的SiC MOSFET开关(dV/dt>50KV/µs),提高了功率转换器的效率,并减小了其尺寸和重量。


该板设计用于恶劣的电压环境,支持1700V电源模块的驱动,隔离电压高达3600V(50Hz,1min),爬电距离为14mm。欠压锁定(UVLO)、有源米勒箝位(AMC)和去饱和检测等保护功能可确保电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。
  • 型号:

    CMT-TIT8244
  • 产品介绍

规格参数

  • 设计用于驱动 62mm 1700V/300A SiC MOSFET 模块

  • 工作温度:-40°C 至 125°C

  • 母线电压:1700V max

  • 14 毫米爬电距离/12 毫米间隙

  • 隔离:3600VAC @50Hz (1min)

  • >50KV/µs dV/dt 抗扰度

  • 初级侧和高侧之间的低寄生电容:10pF

  • 最大平均栅极电流:95mA

  • 最大峰值栅极电流:

  • 开关频率高达 100kHz

  • +20V/-5V(精度为 3%)栅极驱动电压

  • 低电感栅极环路设计

  • 单电源:12V至18V

  • RS422 PWM输入接口

  • 漏极开路输出

  • 欠压锁定 (UVLO)

  • 可选的板载非重叠生成

  • 防重叠保护(在 PWM 输入上)

  • 电子脉冲干扰抑制(在 PWM 输入上)

  • 去饱和保护

  • 栅源短路保护

 

应用场景

  • 非常适合汽车和工业市场

  • 电机驱动:电动汽车、晶圆厂自动化

  • 电源逆变器、DC-DC 转换器、车载电池充电器 (OBC)

  • 电源转换:不间断电源、风力涡轮机

 

如果您的基于 SiC 的电源或电机驱动设计需要支持,请联系我们

我们可以提供 栅极驱动板步骤文件 以虚拟集成到您的电源转换器设计中。

 

订购信息

产品名称型号
电压丝印
CMT-TIT8244CMT-TIT8244A1700VCMT-TIT8244A
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