EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细CXT-PLA3SA12450AA 三相栅极驱动器的设计，源自已经得到充分测试验证的CMT-TIT8243 [1，2] 和CMT-TIT0697[3] 单相栅极驱动器板，分别设计用于62mm 1200V/300A 和快速开关XM3 1200V/450A SiC MOSFET 功率模块（ 请参见图4）。三相栅极驱动器经过优化，可以直接安装在CXTPLA3SA12450功率模块的顶部，这归功于更为紧凑的变压器设计或略微调整的爬电距离设定。CXT-PLA3SA12450AA 栅极驱动器还包括直流总线电压监视功能。对于CMT-TIT8243 和CMT-TIT0697，栅极驱动器板的最高工作环境温度为125℃。板上所有的元器件均经过精心选择和确认，以保证在此温度下的运行。这些设计还依靠CISSOID的高温栅极驱动器芯片组[4、5] 和针对低寄生电容（典型值为10pF）进行了优化的电源变压器模块，以最大程度地降低高dv/dt 和高工作温度下的共模反射电流。
图4：用于快速切换XM3 1200V/450A SiC MOSFET 功率模块的CMT-TIT0697 栅极驱动器板
CXT-PLA3SA12450AA 栅极驱动器仍有足够的余量来支持功率模块的可扩展性。该模块的总栅极电荷为910nC。在开关频率为25KHz 时，平均栅极电流等于22.75mA。这远低于板载隔离式DC-DC 转换器的95mA 最大电流能力。因此，无需修改栅极驱动器板，就可以直接驱动未来栅极电流容量和栅极电荷更高、驱动功率更大的功率模块。使用并列的多栅极电阻架构，以适应实际最大dv/dt 可在10~20 KV/μs 的范围内（负载相关）。栅极驱动器的本身的设计，足够抵抗高达50KV/μs 的dv/dt（感性负载），从而在dv/dt 鲁棒性方面提供了足够的余量。
栅极驱动器保护功能对于确保功率模块的安全运行至关重要。在驱动快速开关的SiC MOSFET 时尤其如此。CXTPLA3SA12450栅极驱动器提供以下保护功能：
- 欠压锁定保护（UVLO）：CXT-PLA3SA12450AA 栅极驱动器监视初级和次级电压，并在低于编程要求电压时自动启动保护、报告故障。
- 防重叠保护：避免同时开启高侧和低侧功率电路，以防止半桥短路。
- 防止次级短路：隔离的DC-DC 转换器可以逐周期地进行电流限制，从而防止栅极驱动器发生任何短路（例如，栅极- 源极短路）。
- 毛刺滤波器：抑制输入PWM 信号上的毛刺，这些毛刺经常是由于共模电流引起的。
- 有源米勒钳位（AMC）：关断后实现负栅极电阻的旁路，以保护功率MOSFET 免受寄生反射的影响。
- 去饱和检测：在打开时，在消隐时间之后检查功率MOSFET漏源电压是否低于阈值。
- 软关断：在出现故障的情况下，将缓慢关闭功率晶体管，以最大程度地降低由于高di/dt 而引起的过冲。
本文提出了一种新型的三相1200V/450A SiC MOSFET 智能功率模块。这个新的、可扩展的平台系列，优化了功率模块的电气、机械和散热设计及其控制驱动，将有助于所有希望采用SiC 功率器件以提高驱动效率、减低电机驱动尺寸和重量的电动汽车OEM 和电机制造商，极大地帮助其缩短产品的上市时间。
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