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    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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  • CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
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  • CHT-HYPERION-CSOIC28-T 高温 高可靠性  40V 半桥栅极驱动器
    2023-06-01 CHT-HYPERION-CSOIC28-T 高温 高可靠性 40V 半桥栅极驱动器
    HYPERION适用于驱动DC-DC转换器中的MOSFET,以及电机控制应用和功率逆变器中的半桥栅极驱动器设计。典型的导通电阻为1欧姆,在200°C时,高侧和低侧都可以驱动高达1 nF的负载,传播延迟为40 ns,过渡时间为15 ns。内部自适应非重叠电路在MOSFET驱动应用中使用时,通过防止同时导通,进一步降低了开关损耗。高侧浮动驱动器是自举的,并且可以在自举节点上适应高达55V的电压。欠压锁定功能保持高压侧开关断开,直到驱动器具有足够的电压进行正确操作。撬棍输入独立于输入信号状态开启低侧驱动器,并且低侧禁用引脚允许在非同步模式下操作。关闭引脚关闭高侧驱动器和低侧驱动器。
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