公司来自比利时,是高温半导体解决方案的领导者,专为极端温度与恶劣环境下的电源管理、功率转换与信号调节提供标准产品与定制解决方案。致力于为极端温度和恶劣环境下的电源管理、电源转换和信号调节提供标准产品和定制解决方案,旗下产品均可稳定工作在-55°C至+175°C,部分产品可达+225°C。
助力碳化硅器件性能发挥极致!
CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CXT-ICM3SA12450AAA 是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/450A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细CXT-ICM3SA12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
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查看详细EVK-PLA1106A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。
查看详细CMT-TIT8244是一款针对额定温度为125°C(Ta)的62mm碳化硅(SiC)MOSFET功率模块进行优化的栅极驱动器板。该板基于CISSOID HADES栅极驱动器芯片组,为汽车和工业应用中的高密度功率转换器的设计提供了热余量。它实现了高频(>100KHz)和快速的SiC MOSFET开关(dV/dt>50KV/µs),提高了功率转换器的效率,并减小了其尺寸和重量。 该板设计用于恶劣的电压环境,支持1700V电源模块的驱动,隔离电压高达3600V(50Hz,1min),爬电距离为14mm。欠压锁定(UVLO)、有源米勒箝位(AMC)和去饱和检测等保护功能可确保电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。
查看详细Cissoid授权代理商:深圳市邦晶科技有限公司
公司来自比利时,是高温半导体解决方案的领导者,专为极端温度与恶劣环境下的电源管理、功率转换与信号调节提供标准产品与定制解决方案。致力于为极端温度和恶劣环境下的电源管理、电源转换和信号调节提供标准产品和定制解决方案,旗下产品均可稳定工作在-55°C至+175°C,部分产品可达+225°C。
CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
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查看详细CISSOID推出的基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计,为用户提供了一个开箱即用的解决方案,可大幅降低开发难度和成本。
2024-03-29高温电子技术,涉及到基础材料、先进半导体工艺,以及极限封装、组装技术等,将随着SiC的普及和大规模应用而全面进入电力电子的各个领域,将是一门越来越受重视的、跨界的前沿学科。
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