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    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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    CXT-PLA3SA12450A三相全桥1200V/450A SiC MOSFET智能功率模块

    CXT-PLA3SA12450A是一款三相 1200V/450A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和基于 CISSOID HADES2 芯片组的栅极驱动器。 该模块通过轻型 AlSiC Pin Fin 基板进行冷却,可解决高功率密度转换器的问题,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案充分发挥了 SiC 技术的优势,可通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。

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    EVK-PLA1121A 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

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    CMT-PLA3SB12340A 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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    2023-02-19 CISSOID将在电力电子博览会上展示其SiC智能功率模块和SiC逆变器平台
    该公司将展示其 SiC 智能功率模块和 SiC 逆变器平台。 CISSOID 的SiC 逆变器入门套件将 CISSOID 的三相 1200V/340A-550A SiC 智能功率模块与 Silicon Mobility T222 FPCU 控制器板和 OLEA 逆变器软件集成在一起, 可加速紧凑、轻量化和高效电机驱动器的设计。该平台包括一个参考冷却器和一个专门设计的直流链路电容器。该公司还为电流传感器和 EMC 滤波器的集成提供支持。
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