other
热门产品
  • 三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台
    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

    查看详细
  • EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

    查看详细
  • CXT-PLA3SA12450A三相全桥1200V/450A SiC MOSFET智能功率模块
    CXT-PLA3SA12450A三相全桥1200V/450A SiC MOSFET智能功率模块

    CXT-PLA3SA12450A是一款三相 1200V/450A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和基于 CISSOID HADES2 芯片组的栅极驱动器。 该模块通过轻型 AlSiC Pin Fin 基板进行冷却,可解决高功率密度转换器的问题,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案充分发挥了 SiC 技术的优势,可通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。

    查看详细
  • EVK-PLA1121A  三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1121A 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1121A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。

    查看详细
  • CMT-PLA3SB12340A 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340A 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

    查看详细

CHT-BG3M-120-TO39-T是一种多功能正电压稳压器,具有多种输出电压(见下表)和 3mA 输出缓冲器。其总精度(初始精度加上温度漂移加上线路和负载调节)优于 2%。
CHT-BG3M-120-TO39-T是一种多功能正电压稳压器,具有多种输出电压(见下表)和 3mA 输出缓冲器。其总精度(初始精度加上温度漂移加上线路和负载调节)优于 2%。

CHT-BG3M-120-TO39-T 12V/3mA固定输出 正电压稳压器

CHT-BG3M-120-TO39-T是一种多功能正电压稳压器,具有多种输出电压(见下表)和 3mA 输出缓冲器。其总精度(初始精度加上温度漂移加上线路和负载调节)优于 2%。
  • 型号:

    CHT-BG3M-120-TO39-T
  • 产品介绍

规格参数

  • 温度范围:-55°C 至 225°C
  • 输入电压:Vout+2V至Vout+15V
  • 固定输出电压:12V
  • 最大输出电流:3mA
  • 总精度(绝对+漂移):+/-2%
  • 静态电流:650µA
  • 可用封装:TO-39

 

应用环境

  • 用于石油和天然气、汽车、航空或航天应用的高温电子系统的电压基准。

CHT-BG3M-functionnal_diagram.png

 

如果您的高温设计需要支持,请联系我们

 

CISSOID 支持其客户制造高温和高可靠性混合模块,其大部分 CHT 产品作为裸片提供。请不要犹豫,向我们索取产品图信息,包括产品尺寸、产品封装、焊盘的位置和描述。

 

订购信息

产品名称输出电压型号
封装丝印
状态
POLARIS
2.5VCHT-BG3M-025-TO39-TTO-39 CHT-BG3M-025在产
POLARIS
3.3VCHT-BG3M-033-TO39-TTO-39CHT-BG3M-033不适用于新设计
POLARIS
5VCHT-BG3M-050-TO39-TTO-39CHT-BG3M-050在产
POLARIS
9VCHT-BG3M-090-TO39-TTO-39CHT-BG3M-090不适用于新设计
POLARIS
10VCHT-BG3M-100-TO39-TTO-39CHT-BG3M-100在产
POLARIS
12VCHT-BG3M-120-TO39-TTO-39CHT-BG3M-120不适用于新设计
POLARIS
可编程的CHT-BG3M-DT已知合格芯片-在产
产品询价
如果您对我们的产品感兴趣并想了解更多详细信息,请在此处留言,我们将尽快回复您。
相关产品
EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块
EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
EVK-PLA1121A  三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
EVK-PLA1121A 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块
EVK-PLA1121A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
EVK-PLA1108A 三相全桥1200V/450A   SiC 逆变开发套件模块
EVK-PLA1108A 三相全桥1200V/450A SiC 逆变开发套件模块
EVK-PLA1108A 是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/450A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
EVK-PLA1106A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
EVK-PLA1106A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块
EVK-PLA1106A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
CMT-PLA3SB12340A 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
CMT-PLA3SB12340A 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。
CHT-STA5602C-TDFP16-T  100mA 可调电压调节器
CHT-STA5602C-TDFP16-T 100mA 可调电压调节器
CHT-STA5602C-TDFP16-T 是一款高温高压可调100mA线性电压调节器。输出电压可以通过外部2电阻分压器进行调节。CHT-RIGEL采用微型陶瓷封装TDFP-16,适用于PCB占地面积较小的应用场合。
CHT-STA4853B-TDFP16-T 500mA 可调电压调节器
CHT-STA4853B-TDFP16-T 500mA 可调电压调节器
CHT-STA4853B-TDFP16-T是单芯片、正、可调线性电压调节器,具有低压差。输出电压可通过外部 2 电阻桥进行调节。CHT-STA4853B-TDFP16-T采用微型 TDFP-16封装。
CHT-BG3M-120-TO39-T 12V/3mA固定输出 正电压稳压器
CHT-BG3M-120-TO39-T 12V/3mA固定输出 正电压稳压器
CHT-BG3M-120-TO39-T是一种多功能正电压稳压器,具有多种输出电压(见下表)和 3mA 输出缓冲器。其总精度(初始精度加上温度漂移加上线路和负载调节)优于 2%。

Cissoid授权代理商:深圳市邦晶科技有限公司 版权所有 © 2008-2024 Inc. 粤ICP备2023088585号 网站地图 

IPv6 network supported