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    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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  • EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

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    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

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    2023-06-03 CMT-555-PSOIC8-T 高温 低功耗 高稳定性 定时器
    CHT-555 是一种高温、低功耗、高度稳定的设备,用于生成准确的时间延迟或振荡,与众所周知的 NE555 相比具有增强的功能。
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    CG50LP 是 CISSOID 的第二代时钟发生器 IC。它结合了其前身器件 CG50 无与伦比的稳健性,同时带来了更多功能、更少的引脚数和约 40% 的电流消耗降低(与 CG50 相比)。 CG50LP 是一款高温晶体时钟发生器集成电路,内置可选择 1 至 512 的分频器、启用/禁用控制信号和外部时钟输入。其输出驱动能力和晶体驱动强度是可编程的 (8/16mA)。它使用外部晶体,可在 -55 至 +225°C 温度范围内提供可靠的精密性能,并在该范围内的任何温度下都具有无与伦比的使用寿命。
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