SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细基于 CISSOID 的SiC逆变控制模块（ICMs），提供广泛的电压和功率范围，参考设计可支持高达850V的工作母线电压和350kW的功率输出，达到出色的52kW/升功率密度（60s峰值功率）。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细比利时蒙圣吉贝尔，2026年1月22日 ——坚固耐用的功率半导体解决方案领导者CISSOID继此前推出全新行业标准功率模块系列后，今日宣布推出 CMT-PLA1BL12300MA ，进一步扩展其标准产品线。这款新型1200V/300A半桥IGBT功率模块采用先进的开关技术和广泛应用的行业标准封装，为各种工业电源转换系统提供高可靠性和高性价比的解决方案。
CMT-PLA1BL12300MA 1200V/300A 半桥IGBT功率模块
CMT -PLA1BL12300MA 专为优化高频开关和高性能工业应用（例如 UPS 系统、电机和运动控制解决方案以及电源）的效率和可靠性而设计。该模块采用先进的沟槽栅场截止 (TG-FS) IGBT技术，在开关速度和导通损耗之间实现了卓越的平衡，并具有出色的短路性能，可在故障条件下稳定运行。其续流二极管提供极高的浪涌能力，可应对严苛的瞬态和过载事件；同时，该模块拥有业界领先的热导率，有助于快速散热，从而提高功率密度并延长使用寿命。该模块采用行业标准的 CPAK-EDC 封装，提供即插即用的解决方案，兼顾了电气性能和集成便捷性，可实现对现有平台的无缝升级。
主要优势：
主要技术特点：
供货情况： CMT-PLA1BL12300MA 现已接受预订。
Cissoid授权代理商:深圳市邦晶科技有限公司 版权所有 © 2008-2026 Inc. 粤ICP备2023088585号 网站地图
IPv6 network supported 
