SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细基于 CISSOID 的SiC逆变控制模块（ICMs），提供广泛的电压和功率范围，参考设计可支持高达850V的工作母线电压和350kW的功率输出，达到出色的52kW/升功率密度（60s峰值功率）。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细比利时蒙圣吉贝尔，2025年10月7日
高性能功率半导体解决方案的领导者 CISSOID 正在通过推出多个全新功率模块系列来扩展其标准产品线。这些新模块系列旨在满足汽车、工业和能源市场对稳健、高效和灵活解决方案日益增长的需求，涵盖多种电流和电压额定值，使工程师能够根据具体应用选择最有效的配置。
新型工业标准功率模块
扩展后的产品组合涵盖了碳化硅 (SiC) 和 IGBT 技术，采用符合行业标准的封装，从而增强了机械强度并实现了即插即用的兼容性。这种方法不仅使升级更加便捷，还赋予了设计更大的自由度，使系统架构师能够更有效地平衡性能和效率与成本和机械集成。凭借这些新产品，CISSOID 将继续为设计人员提供所需的构建模块，以加速电动驱动系统和电源转换领域的创新。
AQG-324认证的三相750V 820A IGBT功率模块
此次扩展产品组合中的首款产品是一款750V、820A的IGBT功率模块，标志着一系列强大新解决方案的开端。这款大电流模块符合AQG-324汽车级认证标准，体现了CISSOID致力于将卓越品质、可靠性和尖端性能完美融合，同时以极具竞争力的价格提供与现有系统的兼容性。
“通过此次扩展，我们让系统设计人员能够从更广泛的成熟可靠的电源模块中进行选择，同时确保与他们现有设计的即插即用兼容性，” CISSOID首席技术官Pierre Delatte表示。“我们的目标是将灵活性与CISSOID一贯的高可靠性相结合，从而帮助客户更轻松地加速电气化项目。”
主要优势：
通过此次发布，CISSOID 继续扩展其不断增长的电源产品组合，这些产品兼具可靠性、兼容性和成本效益。
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