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  • EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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  • CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

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  • CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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  • CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
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‌CISSOID将于2023年9月12日至14日在底特律举行的美国电池展上亮相

日期:2023-09-04 人气:1014


该公司将在电动汽车展览会上展示其SiC智能电源模块和SiC逆变器参考设计。


CISSOID很高兴在2023年9月12日至14日在密歇根州诺维举行的美国最大的先进电池和电动汽车技术活动“北美电池展”上与您见面。该公司将展示其模块化SiC逆变器参考设计,利用其强大的SiC栅极驱动器技术和紧凑的SiC智能功率模块平台。


CISSOID将展示其新的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计,支持高达350kW/850V的电动机驱动。参考设计包括CISSOID的基于SiC的高压电源模块、集成栅极驱动器板、带有Silicon Mobility的超快安全OLEA T222 FPCU的控制板、直流和相电流传感器、直流链路电容器和EMI滤波以及集成液体冷却。CISSOID还将销售和交付Silicon Mobility的用于电动汽车动力传动系统控制的OLEA®APP INVERTER软件,为客户提供一个可用于集成工作的开发平台。


CISSOID将出现在Silicon Mobility(522)和NAC Semi(911)的展位上。

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