SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细基于 CISSOID 的SiC逆变控制模块（ICMs），提供广泛的电压和功率范围，参考设计可支持高达850V的工作母线电压和350kW的功率输出，达到出色的52kW/升功率密度（60s峰值功率）。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细陆基装甲车载伺服武器、雷达伺服转台设备长期行驶于戈壁、荒漠、高原环境，机箱密闭暴晒内部温度超 140℃，强颠簸冲击、宽电压输入，伺服驱动器传统分立方案体积大、故障点多。CISSOID 2025 全新ICM3S 一体化逆变控制模块（CXT-PLA3SA12450 水冷 SiC 核心），集成功率、栅驱、控制、采样一体化，打造军工伺服极简驱动方案。
ICM3S 逆变控制模块基于 1200V/450A CXT-PLA 水冷 SiC 智能功率模块，内置 HADES2 隔离栅驱与 T222 FPCU 功能安全控制器，AlSiC 针翅水冷基板，热阻低至 0.15℃/W，175℃满负荷持续运行；模块导通电阻 3.25mΩ，开关损耗较 IGBT 降低 65%，支持伺服电机 50kHz 高频矢量控制，力矩控制精度提升 30%；整机集成 EMI 滤波、电流传感器、母线电容，单模块完成三相逆变全部功能，客户无需多器件拼接开发。
一体化架构减少 80% 外部接线，抗振动冲击等级满足车载军工标准；全套多重故障保护：过流、过温、欠压、短路、IGBT desat 保护，战时电网冲击、车载电压骤变场景自动保护设备；水冷基板适配装甲车载循环冷却系统，机箱高温环境下无功率降额。
SiC 高温低损耗特性缩小伺服驱动器体积 50%，减轻车载电控重量，提升装备机动性能；ASIL-D 功能安全架构满足军工装备可靠性规范。
广泛用于车载雷达伺服转台、装甲武器机电执行器、便携式军用储能电源、无人机地面站驱动设备。
军工高机动装备需要高度集成、宽温耐受、极简架构的伺服功率硬件，CISSOID ICM 一体化逆变平台大幅缩短军工装备研发周期。
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